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Electrical Characteristics T A = 25 o C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Switching Characteristics
t on
Turn-On Time
-
-
17.6
ns
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t off
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 30V, I D = 4.3A
V GS = 10V, R GS = 6 Ω
-
-
-
-
-
7.2
1.6
19.3
3.1
-
-
-
-
-
36
ns
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q rr
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I SD = 4.3A
I SD = 2.1A
I SD = 4.3A, dI SD /dt = 100A/ μ s
-
-
-
-
0.8
0.8
18.4
10.0
1.25
1.0
24
13
V
ns
nC
Notes:
1:
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For
a copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems
certification.
FDC5661N_F085 Rev. A
3
www.fairchildsemi.com
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